BSP299 E6327
Výrobca Číslo produktu:

BSP299 E6327

Product Overview

Výrobca:

Infineon Technologies

Číslo dielu:

BSP299 E6327-DG

Popis:

MOSFET N-CH 500V 400MA SOT223-4
Podrobný popis:
N-Channel 500 V 400mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21

Inventár:

12850858
Požiadať o cenovú ponuku
Množstvo
Minimálne 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) je povinné
Odpovieme vám do 24 hodín
ODOSLAŤ

BSP299 E6327 Technické špecifikácie

Kategória
FET, MOSFET, Jednotlivé FET-y, MOSFET-y
Výrobca
Infineon Technologies
Balenie
-
Seriál
SIPMOS®
Stav produktu
Discontinued at Digi-Key
Typ FET
N-Channel
Technológia
MOSFET (Metal Oxide)
Odtok do zdroja objtage (Vdss)
500 V
Prúd - nepretržitý odtok (Id) @ 25 °C
400mA (Ta)
Napätie pohonu (Max Rds zapnuté, Min Rds zapnuté)
10V
Rds zapnuté (max.) @ id, vgs
4Ohm @ 400mA, 10V
Vgs(th) (Max.) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Vstupná kapacita (Ciss) (max.) @ vds
400 pF @ 25 V
Funkcia FET
-
Stratový výkon (max.)
1.8W (Ta)
Prevádzková teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže
Surface Mount
Balík zariadení dodávateľa
PG-SOT223-4-21
Balenie / puzdro
TO-261-4, TO-261AA

Technické údaje a dokumenty

HTML dátový list
Technické listy

Dodatočné informácie

Štandardné balenie
1,000
Iné mená
SP000011110
BSP299E6327
BSP299E6327T
BSP299 E6327-DG

Klasifikácia životného prostredia a exportu

Stav RoHS
RoHS non-compliant
Úroveň citlivosti na vlhkosť (MSL)
1 (Unlimited)
Stav nariadenia REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Certifikácia
Súvisiace produkty
onsemi

FDMC86012

MOSFET N-CH 30V 23A POWER33

onsemi

FCA47N60F

MOSFET N-CH 600V 47A TO3PN

onsemi

FDA59N25

MOSFET N-CH 250V 59A TO3PN

onsemi

FDP3672

MOSFET N-CH 105V 5.9A/41A TO220